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LinKam TS1500高溫熱臺地質與電子領域應用

產品簡介

LinKam TS1500高溫熱臺地質與電子領域應用
地質研究中,TS1500 可模擬巖漿冷卻、礦物相變過程,為地質演化分析提供數據。

產品型號:
更新時間:2025-10-23
廠商性質:代理商
訪問量:56
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LinKam TS1500高溫熱臺地質與電子領域應用

一、地質樣品熔融與相變研究應用
地質研究中,TS1500 可模擬巖漿冷卻、礦物相變過程,為地質演化分析提供數據。以玄武巖熔融實驗為例:
(一)實驗核心配置
  1. 樣品處理:將玄武巖破碎后壓制成直徑 8mm、厚度 0.8mm 薄片,表面無雜質;

  1. 設備適配:換剛玉熱電偶保護套管(耐 1800℃),加熱區域通氬氣(流量 30mL/min)防樣品氧化;

  1. 程序設置:段 1(室溫→1000℃,速率 20℃/min),段 2(1000℃→1500℃,速率 10℃/min),段 3(1500℃保溫 60 分鐘),段 4(1500℃→室溫,速率 5℃/min)。

(二)關鍵過程與結果
  1. 熔融監測:軟件曲線顯示 1280℃出現拐點(熔融起始),1350℃曲線平緩(全熔融),與玄武巖理論熔融溫度吻合;

  1. 數據應用:結合顯微鏡觀察,1500℃保溫階段記錄熔體流動狀態,為巖漿黏度研究提供依據;降溫階段捕捉礦物結晶溫度(如輝石在 1100℃開始結晶),輔助重建地質體冷卻歷史。

二、電子元件耐高溫可靠性測試應用
電子領域中,TS1500 可測試芯片、封裝材料耐高溫性能,以芯片封裝環氧樹脂測試為例:
(一)實驗核心配置
  1. 樣品處理:取封裝環氧樹脂切片(直徑 8mm、厚度 0.5mm),保留芯片與樹脂結合面;

  1. 設備適配:用 K 型熱電偶(不銹鋼套管),樣品直接放加熱面(無需夾具);

  1. 程序設置:段 1(室溫→800℃,速率 5℃/min),段 2(800℃保溫 30 分鐘),段 3(800℃→室溫,速率 10℃/min)。

(二)關鍵過程與結果
  1. 失效監測:450℃時樣品出現微裂紋(軟件聯動顯微鏡觀察),600℃樹脂開始碳化,記錄失效溫度區間;

  1. 數據應用:根據實驗結果,建議該環氧樹脂封裝芯片的工作溫度不超過 400℃,為電子設備耐高溫設計提供參考。

三、場景適配操作要點
  1. 地質樣品:高溫段(1000℃以上)速率≤10℃/min,避免樣品崩裂;通惰性氣體時,確保加熱區域密封性,防止氣體泄漏影響溫度均勻性;

  1. 電子樣品:低溫段(室溫→500℃)密切觀察樣品形變,發現異常立即暫停實驗;保溫階段記錄加熱功率變化,功率驟降可能提示樣品分解;

  1. 通用注意:實驗前校準熱電偶(用標準金屬熔點驗證,如錫 231.9℃),確保測溫誤差≤±0.5℃;樣品尺寸嚴格匹配加熱區域(直徑≤10mm),避免超出部分受熱不均。

通過地質與電子領域的針對性應用,TS1500 以寬溫域與精準控溫,快速滿足不同場景的核心實驗需求,為研究與測試提供可靠數據支撐。
LinKam TS1500高溫熱臺地質與電子領域應用


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